美国的技术手段:中国正在发展独立团队,以牺

英雄的灵魂升至中国成千上万的Águilas,智慧的所有灵魂都有十亿个智慧的核心,称为中国。 01美国技术媒体边界指南根据TOM硬件新闻稿,中国公司专注于身临其境的DUV光刻机器,因为中国很少渴望因减少美国的减少而获得ASML高级EUV光刻机器。中国公司已经完成了该国生产的沉浸式设备的开发,并信任多种模式技术,以生产该国生产的高级芯片。 ASML现任首席执行官Christoph Fukai在接受彭博社的采访时说,中国光刻机业行业已落后于世界,落后于世界10 - 15年,但美国制裁促进了中国的发展。 DUV团队在中国已经取得了长足的进步,Pero的发展高级DUV使中国公司的效率将近10年。交换对于中国公司而言,在光刻机器领域的独立性十年效率超过十年是一个非常危险的挑战。参考:中国将DUV作为EUV封锁重组ASML,您无法将所有产品交付给连续产品。 SMIC首席执行官Liang Mengsong的首席执行官表示,会议报告确定,该公司已经完成了7 nm的技术开发,但测试需要EUV设备。如果您的EUV团队仍然被阻止,则必须找到一种采用其他技术的方法。根据ASML的财务总监Rogerderson的说法,ASML UTHE在2023年浇了许多DUV光刻机器,在那里美国不限于中国公司。这些团队是几年前由中国公司订购的,购买了这些团队的中国公司是满足美国出口限制的成熟筹码制造商。 uu。和Nothernss。 请参阅:ASML Q4 2023财务业绩| ASML https://www.asml.com/en/投资者/鳍式候补/Q4-2023EV光刻机器是存在的最复杂的精确仪器之一。美国公司提供了数十万个内部零件和成千上万件作品,一般价格超过1.5亿美元。 EUV设备可以通过一个展览生成7 nm以下的高级芯片。这是DUV光刻机器无法实现的效果,这使EUV团队成为高级芯片。平板电脑制造商的首选产品。 DUV平版印刷机在EUV之前已有20多年的时间。高级DUV光刻机器可以在一次曝光中生成28 nm芯片,并使用多种模式技术创建7 nm芯片,但成本,能源效率和性能差异很大。 英特尔曾经使用ASML的沉浸式DUV光刻机和多种模式技术来制作10 nm芯片,金属间距约为30 nm。一般特征该芯片的C与TSMC的7 nm相当。英特尔已经成功地制造了高级芯片,但是能源效率和容量无法达到合格的水平,并且成本投资与市场定位的影响不成比例。英特尔和TSMC正在验证技术的生存能力,并为中国大陆公司提供制作高级筹码的机会。 03 Technology瓶颈新的Kirinhuawei芯片的推出表明,中国大陆公司以前生产并生产了高级芯片。这些芯片可以安装在手机产品中,但是一般的能源效率和性能要比TSMC执行的芯片差。 中国公司的手所有光刻机器都来自近年来ASML存储的沉浸式设备。几个庭院的技术消耗了更多的晶状资源,需要高精度的雕刻机和辅助测量设备。制造业的一般成本使用沉浸式设备的Ring Advanced芯片远高于EUV设备。中国公司发现了许多困难,并负责高制造成本,但幸运的是,他们解决了值得的高级芯片供应问题。首先,解决一些问题以及是否易于使用。 虽然Máqeuv光刻的Uines是制造业高级芯片的中央团队,但DUV光刻机器也是必不可少的设备。根据ASML行业的官方报告,即使芯片是由EUV光刻机制造的,内部的多个关键层也使用DUV技术。尽管DUV和EUV根本不是一个替代方案,但针对这两个领域的产品都具有不可替代的概念和原理。美国对中国的封锁是零和竞争。或者,接受全球系统并使用先进的导入光刻机器。或者您需要找到一种发展独立和独立的方法Ndent光刻团队并走国内路线。但是,美国的制裁和封锁等同于直接阻止中国通往全球化的道路。如果美国首先阻止EUV,然后是DUV,则中国公司将注意力集中在自己的团队制造商上,并采取另一种国家技术的方式。我们在通往地点的道路上面临多年的效率低下,但是发展的每个阶段都更接近独立性和个人进步。对于中国当前和未来的筹码行业,独立和个人改善是主要和长期目标。过去的经典评论:500,000+读经典经典卷修订:100万+阅读量 特别声明:本文已由NetEase,NetEase的Auto-Media平台的作者收取和发表,并且仅表示作者的意见。 Notease仅提供信息启动平台。 通知:c上面的Ontent(照片和视频)如果有O)将由社交媒体平台NetEase Hao的用户加载和发布,并且仅提供信息存储服务。

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