美国的技术手段：中国正在发展独立团队，以牺牲10年的低效率来使用这种风险的方法来交换光刻机器领域的独立性和独立性。
英雄的灵魂升至中国成千上万的Águilas，智慧的所有灵魂都有十亿个智慧的核心，称为中国。 01美国技术媒体边界指南根据TOM硬件新闻稿，中国公司专注于身临其境的DUV光刻机器，因为中国很少渴望因减少美国的减少而获得ASML高级EUV光刻机器。中国公司已经完成了该国生产的沉浸式设备的开发，并信任多种模式技术，以生产该国生产的高级芯片。 ASML现任首席执行官Christoph Fukai在接受彭博（Bloomberg）的采访时说，该行业China的光刻机器已落后于世界背后的世界已有10 - 15年了，但我们SAnctions正在促进中国的发展。 DUV团队在中国已经取得了长足的进步，但是高级DUV的发展使中国公司的效率差不多10年。在光刻机器领域独立十年来，工业效率低下的交换对于中国公司来说是一个非常危险的挑战。参考：中国将DUV作为EUV封锁重组ASML，您无法将所有产品交付给连续产品。据SMIC首席执行官Liang Mengsong称，会议报告确定中国公司是Technologíasde7 Nmhemos完成了NOLODY的发展，但我们将需要EUV团队进行测试。如果您的EUV团队仍然被阻止，则必须找到一种采用其他技术的方法。根据ASML的财务总监Rogerderson的说法，ASML在2023年交付了许多DUV光刻机器，美国不限于中国公司。这些团队是由中国公司订购的几年前，购买它们的中国公司是满足美国出口限制的成熟筹码制造商。 uu。和Nothernss。请参阅：ASML Q4 2023财务业绩| ASML https://www.asml.com/en/investors/fincial-results/Q4-2023EV光刻机器是存在的最复杂的精确仪器之一。美国公司提供了数十万个内部零件和成千上万件作品，一般价格超过1.5亿美元。 EUV团队可以在一个博览会中制造，低于7 nm的高级芯片是Duv光刻机器无法实现的效果，这使EUV团队成为高级芯片制造商的第一个选择。 DUV光刻机器的应用时间距离EUV超过20年。高级DUV光刻机器可以在一次曝光中生成28 nm芯片，并使用多种模式技术创建7 nm芯片，但成本，能源效率和性能差异很大。英特尔曾经使用过ASML的沉浸式DUV光刻机和多种模式技术，使高级芯片具有大约30 nm的金属间距。该芯片的一般特征与TSMC的7 nm相当。英特尔成功地制造了高级芯片，但是能源效率和容量无法达到合格的水平，成本投资与市场取向的效果不成比例。英特尔和TSMC正在验证技术的生存能力，并为中国大陆公司提供制作高级筹码的机会。 03 Technology瓶颈新的Kirin Chips de Huawei的推出表明，中国大陆公司以前生产并生产了高级芯片。这些芯片安装在手机产品中，但总的来说，能源效率和性能比TSMC差。中国公司手中的几乎所有光刻机器都来自近年来ASML存储的沉浸式设备。这几个庭院的技术会消耗更多的晶状资源，并且需要高精度的雕刻机和辅助测量设备。使用沉浸式设备制造高级芯片的一般成本远高于EUV设备。中国公司发现许多难度是并且负责高生产成本，但幸运的是，他们解决了值得的高级筹码供应问题。首先，解决一些问题以及是否易于使用。尽管EUV光刻机器是制造业高级芯片的中央团队，但DUV光刻机器也是必不可少的设备。根据ASML行业的官方报告，即使芯片是由EUV光刻机制造的，内部的多个关键层也使用DUV技术。尽管DUV和EUV根本不是一个替代方案，但针对这两个领域的产品都具有不可替代的概念和原理。美国块反对中国的NG是零和竞争。或者，接受全球系统并使用先进的导入光刻机器。或者，您需要找到一种方法来发展独立和独立的光刻团队并采取行动障碍，但是，美国的制裁和封锁等同于直接阻止中国对全球化的道路。如果美国首先阻止了EUV，然后是DUV，那么中国公司将自然将注意力集中在自己的团队制造商上，并采取另一条国家技术的道路。我们在通往地点的道路上面临多年的效率低下，但是发展的每个阶段都更接近独立性和个人进步。对于中国当前和未来的筹码行业，独立性和个人改善是主要和长期目标。过去的经典评论：500,000+读经典经典卷修订：100万+阅读量
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